各二級單位，機關及直屬各部門：

上海市科委發布《2025年度基礎研究計劃“集成電路”（第二批）項目申報的通知》，具體內容通知如下：

一、征集范圍

專題一、硅基光電子

方向1：全硅集成光I/O研究

研究內容：研究硅中缺陷態吸收、光子輔助隧穿效應等機制，提高全硅探測器的光電轉換效率與響應速度；探索微環諧振腔中的雙光子效應，建立多物理場下微環調制器的響應模型；實現收發一體集成芯片，并進行高速數據傳輸驗證。

經費額度：定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度100萬元。

方向2：可見-通信光互連研究

研究內容：探索跨波段量子信息傳輸中的多非線性協同效應，優化單光子非線性耦合強度，調控不同波段間的光子轉換效率；優化光子芯片設計方法，實現跨波段的低損耗光波導；設計并制備低噪聲、高效率的頻率轉換芯片，探索應用路徑。

經費額度：定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度100萬元。

方向3：片上多維復用光子信號處理研究

研究內容：發展光子多維信號互作用理論，研究多維復用的時間序列信號重構方法，完成高速信號接收與處理架構設計；研究光學采樣保持、多功能陣列化重構、寬帶陣列均衡校準等內容；實現光子多維復用的高速信號接收與處理系統。

經費額度：定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度100萬元。

方向4：高性能片上光放大機制研究

研究內容：構建多因素耦合影響的光波導放大理論模型，探索高濃度共摻和長發光壽命的實現方法，闡明上轉換發光的抑制機制；研究波導截面折射率工程，建立光場分布與增益效率的調控模型；優化光波導放大器制備方法，實現高功率、大帶寬的片上放大輸出。

經費額度：定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度100萬元。

方向5：高維多通道光子伊辛加速研究

研究內容：探索伊辛自旋規模拓展機制，研究哈密頓量計算精度提升方法；探索光子伊辛體系高維復用方法，研究多通道、高動態范圍哈密頓量的光電探測；結合高速電子控制反饋，完成典型NP問題映射伊辛模型的快速求解。

經費額度：定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度100萬元。

方向6：面向大規模生成智能的全光智能處理研究

研究內容：研究生成式任務的本征特征，揭示生成式智能任務的光場特性，構建特征映射的物理模型和訓練算法；建立異質異構集成的光場通路模型，實現百萬量級光學神經元的片上集成封裝；實現面向大規模生成式任務的光計算芯片構建、流片和實驗驗證。

經費額度：定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度100萬元。

方向7：幾何相位硅光集成方法研究

研究內容：研究硅光集成非阿貝爾幾何相位操控，建立幾何相位的解析模型，闡明幾何相位硅光集成器件的高寬帶性和高魯棒性機理；研究與硅光后道工藝兼容的硅光-相變材料集成方法，開展幾何相位非易失動態可調控的功能驗證。

經費額度：定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度100萬元。

方向8：超低光子功耗硅基光神經網絡計算研究

研究內容：探索可重構光網絡中光子數態的關聯演化規律，開發融合時序光子統計測量與數字反饋的原位訓練機制，構建多光子關聯特性與神經網絡特征空間的非線性映射模型。集成高純度片上光子源陣列與可編程多模干涉結構，實現具備亞光子級功耗和非線性處理能力的光神經網絡芯片，驗證面向邊緣智能場景的超低功耗光計算能力。

經費額度：定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度100萬元。

方向9：基于硅光工藝的大規模光量子糾纏研究

研究內容：開展基于集成光量子平臺的大規模連續變量簇態糾纏機理研究，研究糾纏態測量效率的影響因素，探索高魯棒性重構的新原理與新方法；研制高非線性、低損耗的量子壓縮光源和可編程線性光學網絡，探索其在量子計算、量子隱形傳態等領域的可擴展方案。

經費額度：定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度100萬元。

方向10：片上超連續譜光源及其精準調控研究

研究內容：探索高維波導結構中的色散調控方法，研究波導整體與局部色散對超連續譜產生的調控機理；完成超連續譜光源芯片的設計和制備，實現超寬光譜覆蓋，并在原子吸收波長及中紅外波長處實現光譜局部增強；基于片上超連續譜光源，開展光譜學、光學計量等領域的應用演示。

經費額度：定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度100萬元。

方向11：硅基垂直集成光子調控研究

研究內容：探索硅基垂直集成光子器件的光調制與耦合理論，開發數值計算方法研究卷曲納米薄膜光子器件中的光子調控；優化器件制備工藝，實現晶圓級高良率垂直集成光子器件的設計制備；研究基于垂直集成光子器件的多維光信息探測及調制方法，實現廣角和高偏振分辨的硅基垂直集成光探測器。

經費額度：定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度100萬元。

專題二、寬禁帶與超寬禁帶半導體

方向1：氮化鎵單晶高溫高壓生長過程與反應釜損傷監測研究

研究內容：建立氮化鎵單晶氨熱生長過程及反應釜的多源感知方法與系統；研究釜內溫-壓-介質聯動與耦合機制，探明極端工況對釜體損傷的量化影響；建立高品質單晶生長過程平衡失穩預警模型。

經費額度：非定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度不超過300萬元。

方向2：碳化硅界面能帶調控與雙能級缺陷共軛抑制研究

研究內容：研究原位等離子體與高k介質協同調控碳化硅能帶偏移機制，探索能帶調控驅動的碳化硅界面缺陷抑制方法，揭示能帶偏移與氧空位結合能位移的定量關聯關系，闡明碳化硅界面缺陷和近界面氧化層缺陷共軛抑制機理。

經費額度：定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度100萬元。

方向3：氧化鎵同質p-n結材料準粒子特性研究

研究內容：制備氧化鎵同質p-n結，研究激子與空穴極化子特性及雙極輸運機制；研究結電容耗盡與擴散、耐壓、反向擊穿等特性；研究氧化鎵同質p-n結自供電深紫外光電探測。

經費額度：非定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度不超過300萬元。

方向4：金剛石表面鈍化與歐姆接觸研究

研究內容：揭示金剛石器件界面物性調控機制，探究界面碳簇陷阱與高化學惰性的協同影響；發展納米級高k氮化物柵介質沉積方法；發展輕摻雜金剛石表面的低阻歐姆接觸方法，并通過原型器件驗證。

經費額度：非定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度不超過300萬元。

方向5：多維一體金剛石材料合成與加工方法研究

研究內容：闡明合成及關鍵加工工藝中金剛石形狀及性能的產生或演變機制，發展多維一體金剛石材料形性協同合成及加工方法，研究合成及關鍵加工裝備正向設計方法，優化金剛石材料合成及加工一體化方法。

經費額度：定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度100萬元。

專題三、集成電路材料

方向1：基于交替共聚物的先進工藝圖形材料研究

研究內容：研究交替共聚物在不同環境條件下的圖形結構構建與相行為調控，研究交替共聚物在溶液、界面及固態加工過程中的自組裝行為，闡明不同鏈段比例、分子量及熱/溶劑處理等對亞5nm尺度有序結構演化的影響機制。探索交替共聚物的可控相分離規律，揭示材料的結構演化路徑。

經費額度：非定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度不超過300萬元。

方向2：基于弱相互作用機制的深度純化機理研究

研究內容：探索通用型深度純化介質制備方法，研究介質與流體狀態下復雜組分的弱相互作用機制及溶出組分的遷移路徑；研制電子專用試劑通用型深度純化元件，探究基于多組分流體間弱相互作用機制對深度純化行為的多尺度協同調控機制。

經費額度：定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度100萬元。

方向3：集成電路高介電常數前驅體材料研究

研究內容：基于配位化學與反應動力學模型，實現鈮前驅體合成分子結構的精準調控。開發特定純化路線，研究痕量雜質深度去除方法。基于原子層沉積方式，構建成膜動力學模型，系統研究原子層沉積工藝參數對鈮基高介電常數薄膜生長速度、微觀結構及關鍵性能的影響規律與調控機制。

經費額度：非定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度不超過300萬元。

方向4：高密度玻璃基深溝槽電容實現機制研究

研究內容：研究與玻璃通孔兼容的高k介質與金屬材料的原子層沉積方法，解決膜層覆蓋率和界面附著力的問題，探索電容密度的提升機制，實現高密度金屬-介質-金屬玻璃基深溝槽電容。

經費額度：定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度100萬元。

方向5：閾值轉變開關與存儲材料研究

研究內容：研究硫系閾值轉變開關與存儲材料的閾值電壓極性效應機理，揭示不同極性電場作用下材料微結構動態演化規律。闡明硫系閾值轉變開關與存儲材料的閾值電壓漂移機理，開展硫系閾值轉變開關與存儲材料的納米尺寸微縮效應研究，探索基于硫系閾值轉變開關與存儲材料的原型器件制備方案。

經費額度：定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度100萬元。

二、申報方式

項目申報采用網上申報方式，無需送交紙質材料。請申請人通過“上海市科技管理信息系統”（svc.stcsm.sh.gov.cn）進入“項目申報”，進行網上填報，由申報單位對填報內容進行網上審核后提交。【初次填寫】使用“一網通辦”登錄（如尚未注冊賬號，請先轉入“一網通辦”注冊賬號頁面完成注冊），進入申報指南頁面，點擊相應的指南專題，進行項目申報；【繼續填寫】使用“一網通辦”登錄后，繼續該項目的填報。有關操作可參閱在線幫助。

項目網上填報起始時間為2025年8月13日9:00，截止時間（含申報單位網上審核提交）為2025年9月1日16:30。

由于各研究方向限額1項，請各二級單位于8月21日11點前提交本部門申報清單，學校將根據申報情況遴選上報。

科研處

2025.8.6